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IGBT吸收保护电容器
IGBT吸收保护电容器
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IGBT吸收保护电容器

品牌/型号:

/MKP-SC/SE

特性:

吸收高频尖峰电压,电流

引出线类型:

轴向引出线

标称容量:

0.01~4.7(μF)

允许偏差:

5(%)

类别:

金属化薄膜无感式卷绕

封装外形:

圆柱型,方形

额定电压:

250V~800V.DC(V)V

结构:

可变

产品信息

1.DC-Link电容器(超小型)采用金属化薄膜无感式卷绕,特殊喷金工艺,迈拉胶带封装,阻燃环氧树脂密封,镀锡铜线引出.2.其特点是:稳定性高,频率特性好,体积小,自愈性好,过电流能力强.3.主要用于UPS ,变频器,电镀电源,逆变焊机,等其他电力电子设备,IGBT吸收高频尖峰电压,电流用.4.性能指标:使用温度范围:-40℃~85℃电容量:
0.01~4.7uF.电容量偏差:±5%(J) 额定电压: 250V.DC~800V.DC 耐电压:1.35~1.5UN/60S 损耗角正切: tgδ≤0.0005(at 10KHz) 绝缘电阻:≥300MΩ(at20℃100V.DC) 耐冲击电流能力: dv/dt>100v/us 阻燃性:UL94V-0 杂散电感:≤60nH5.引用标准:符合IEC61071
GB17702.1 CGE企业标准